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电子元器件详细资料 » IC[28651] » STB31N65M5
型号:STB31N65M5类别:FET - 单制造商:STMicroelectronics
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
系列Mdmesh™ V
制造商STMicroelectronics
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)650V
电流_连续漏极(Id)0a025000C22A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C148 毫欧 @ 11A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2225V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs55nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1755pF @ 100V
功率_最大150W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装D²PAK
包装剪切带 (CT)

供应商

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